霍爾元件是應(yīng)用霍爾效應(yīng)的半導(dǎo)體

來源：未知瀏覽：發(fā)布日期：2019-12-13 13:32:07【大中小】

霍爾元件可用多種半導(dǎo)體材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)量子阱材料等等.

霍爾元件是一種基于霍爾效應(yīng)的磁傳感器。用它們可以檢測(cè)磁場(chǎng)及其變化，可在各種與磁場(chǎng)有關(guān)的場(chǎng)合中使用。

霍爾元件件具有許多優(yōu)點(diǎn)，它們的結(jié)構(gòu)牢固，體積小，重量輕，壽命長(zhǎng)，安裝方便，功耗小，頻率高(可達(dá)1MHZ)，耐震動(dòng)，不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕。

霍爾線性器件的精度高、線性度好;霍爾開關(guān)器件無觸點(diǎn)、無磨損、輸出波形清晰、無抖動(dòng)、無回跳、位置重復(fù)精度高(可達(dá)μm 級(jí))，采用了各種補(bǔ)償和保護(hù)措施，霍爾元件的工作溫度范圍寬，可達(dá)-55℃~150℃。

霍爾電位差 UH 的基本關(guān)系為

UH=RHIB/d (18)

RH=1/nq(金屬) (19)

式中 RH--霍爾系數(shù):

n--單位體積內(nèi)載流子(自由電子和空穴)的個(gè)數(shù)

q--電子電量;

I--通過的電流;

霍爾元件

B--垂直于I的磁感應(yīng)強(qiáng)度;

d--導(dǎo)體的厚度。

對(duì)于半導(dǎo)體和鐵磁金屬，霍爾系數(shù)表達(dá)式與式(19)不同，此處從略。

由于通電導(dǎo)線周圍存在磁場(chǎng)，其大小與導(dǎo)線中的電流成正比，其優(yōu)點(diǎn)是不與被測(cè)電路發(fā)生電接觸，不影響被測(cè)電路，不消耗被測(cè)電源的功率，特別適合于大電流傳感。

利用這種方法可以構(gòu)成霍爾功率傳感器。

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