美國允許三星、SK海力士和臺積電在中國大陸擴建
目前，領先的芯片制造商將能夠升級他們在中國大陸的晶圓廠。
據(jù)《華爾街日報》 援引美國商務部官員的報道稱，美國政府將允許頂級芯片制造商三星、SK 海力士和臺積電保留和擴建其在中國大陸現(xiàn)有的內(nèi)存和邏輯工廠。 如果信息正確，那么這三家公司將能夠從美國制造商那里為他們在中國大陸的晶圓廠購買新的晶圓廠工具，但有一個問題。
美國商務部負責工業(yè)和安全的副部長艾倫·埃斯特維茲 (Alan Estevez) 透露，政府計劃繼續(xù)對韓國和中國臺灣芯片制造商實施現(xiàn)行豁免，這些豁免與旨在限制中國大陸半導體行業(yè)能力的最新美國出口管制規(guī)則 有關。這些最初于去年 10 月授予的豁免將于今年 10 月到期。
出席討論的人士表示，Estevez 在與半導體行業(yè)協(xié)會的討論中做出了確認，稱豁免預計將在“可預見的未來”持續(xù)存在。然而，商務部選擇拒絕就此事發(fā)表任何額外評論。
美國的晶圓廠設備 (WFE) 制造商必須先獲得商務部的出口許可證，才能出口能夠生產(chǎn)在 10nm/14nm/16nm 或更小節(jié)點上使用非平面晶體管的邏輯芯片、具有 128的3D NAND芯片的工具或更多層，以及半間距為18nm或更小的DRAM IC，供中國客戶使用。
三星、SK 海力士和臺積電等芯片制造商必須經(jīng)常升級他們的晶圓廠，以保持其產(chǎn)品的競爭力。這三家公司都獲得了美國政府的豁免，允許他們在 2022 年 10 月至 2023 年 10 月期間向中國大陸出口必要的生產(chǎn)設備，并有可能將豁免再延長一年。顯然，美國政府現(xiàn)在愿意允許三星、SK 海力士和臺積電在 2024 年 10 月之后為其在中國大陸的半導體生產(chǎn)設施獲得美國晶圓廠工具。
但是，讓我們開始吧。根據(jù)美國 CHIPS 和科學法案獲得國家資助的條件將 禁止 受益公司投資其位于中國大陸的晶圓廠。這項政策可能會對三星、SK 海力士和臺積電等公司產(chǎn)生深遠影響，這些公司在中國大陸經(jīng)營著重要的設施，并且是美國資助的潛在申請者。根據(jù)目前的條款，如果這些公司中的任何一家獲得 CHIPS 資金，他們將無法在 10 年內(nèi)投資擴建或升級其在中國大陸的晶圓廠。
目前，SK海力士是中國大陸少數(shù)幾個DRAM生產(chǎn)商之一。目前還不清楚它在那里使用了哪些生產(chǎn)技術。據(jù) TrendForce 稱，三星和SK海力士都在中國大陸使用其 128 層工藝制造 3D NAND。與此同時，臺積電位于中國南京的Fab 16 在該公司的16納米FinFET節(jié)點上生產(chǎn)芯片。
目前，16nm FinFET 和 128 層 3D NAND 制造工藝具有競爭力。但在某個時候，它們將變得過時，如果那里的芯片制造商不能根據(jù)與美國政府的協(xié)議投資升級他們的中國大陸晶圓廠，他們將不得不做出戰(zhàn)略決策，如果贈款條款符合籌碼法案沒有改變。
