霍爾開關(guān)HX44E在車輪測速中的應(yīng)用(上篇)
脈沖計數(shù)法是智能測速系統(tǒng)中常用的方法。只要轉(zhuǎn)軸每旋轉(zhuǎn)一周,產(chǎn)生一個或固定的多個脈沖, 并將脈沖送入微處理器中進(jìn)行計數(shù),即可獲得轉(zhuǎn)速的信息??梢杂卸喾N方式來獲得脈沖信號。將光電傳感器安裝在轉(zhuǎn)軸上,當(dāng)扇葉經(jīng)過時, 可產(chǎn)生脈沖信號。
但是光電傳感器同對灰塵、油污等比較敏感,因此不適宜安裝在車輪上。光電編碼器和霍爾開關(guān)都不怕灰塵和油污,且都廣泛應(yīng)用于工業(yè)現(xiàn)場。但是光電編碼器價格較昂貴,霍爾開關(guān)價格便宜且具有體積小、靈敏度高響應(yīng)速度快溫度性能好精確度高可靠性高等特點,能很好地滿足車輪測速系統(tǒng)設(shè)計的需要。
霍爾開關(guān) HX44E
HX44E芯片屬于開關(guān)型的霍爾器件,其工作電壓范圍比較寬(3V~24V) ,其輸出的信號符合TTL電平標(biāo)準(zhǔn),比較寬 ,其輸出的信號符合TTL電平標(biāo)準(zhǔn),可以直接接到單片機(jī)的IO端口上,而且其最高檢測頻率可達(dá)到1 MHz。HX44E霍爾開關(guān)集成電路應(yīng)用霍爾效應(yīng)原理,采用半導(dǎo)體集成技術(shù)制造的磁敏電路,它是由電壓調(diào)整器、霍爾電壓發(fā)生器、差分放大器、史密特觸發(fā)器,溫度補償電路和集電極開路的輸出級組成的磁敏傳感電路,其輸入為磁感應(yīng)強(qiáng)度,輸出是一個數(shù)字電壓信號。
HX44E 的測試特性
霍爾開關(guān)電路的輸出特性見圖1所示。在輸入端輸入電壓Vcc ,經(jīng)穩(wěn)壓器穩(wěn)壓后加在霍耳電勢發(fā)生器的兩端,根據(jù)霍耳效應(yīng)原理,當(dāng)霍耳片處在磁場中時,在垂直于磁場的方向通以電流,則與這二者相垂直的方向上將會產(chǎn)生霍耳電勢差VH輸出,該VH信號經(jīng)放大器放大后送至施密特觸發(fā)器整形,使其成為方波輸送到OC門輸出。當(dāng)施加的磁場達(dá)到工作點(即BOP)時,觸發(fā)器輸出高電壓(相對于地電位),使三極管導(dǎo)通,此時OC門輸出端輸出低電壓,通常稱這種狀態(tài)為開。當(dāng)施加的磁場達(dá)到釋放點(即BRP)時,觸發(fā)器輸出低電壓,三極管截止,使OC門輸出高電壓,這種狀態(tài)為關(guān)。
在外磁場的作用下,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度超過導(dǎo)通閾值Bop時,霍爾電路輸出管導(dǎo)通,輸出低電平。之后B再增加,仍保持導(dǎo)通態(tài)。若外加磁場的B值降低到BRP時,輸出管截止輸出高電平。我們稱Bop為工作點,BRP為釋放點,Bop- BRP=Bu稱為回差?;夭畹拇嬖谑归_關(guān)電路的抗干擾能力增強(qiáng)。這樣兩次電壓變換,使霍耳開關(guān)完成了一次開關(guān)動作。一般規(guī)定,當(dāng)外加磁場的南極(S極)接近霍爾電路外殼上打有標(biāo)志的一面時,作用到霍爾電路。上的磁場方向為正,北極接近標(biāo)志面時為負(fù)。
但是光電傳感器同對灰塵、油污等比較敏感,因此不適宜安裝在車輪上。光電編碼器和霍爾開關(guān)都不怕灰塵和油污,且都廣泛應(yīng)用于工業(yè)現(xiàn)場。但是光電編碼器價格較昂貴,霍爾開關(guān)價格便宜且具有體積小、靈敏度高響應(yīng)速度快溫度性能好精確度高可靠性高等特點,能很好地滿足車輪測速系統(tǒng)設(shè)計的需要。
霍爾開關(guān) HX44E
HX44E芯片屬于開關(guān)型的霍爾器件,其工作電壓范圍比較寬(3V~24V) ,其輸出的信號符合TTL電平標(biāo)準(zhǔn),比較寬 ,其輸出的信號符合TTL電平標(biāo)準(zhǔn),可以直接接到單片機(jī)的IO端口上,而且其最高檢測頻率可達(dá)到1 MHz。HX44E霍爾開關(guān)集成電路應(yīng)用霍爾效應(yīng)原理,采用半導(dǎo)體集成技術(shù)制造的磁敏電路,它是由電壓調(diào)整器、霍爾電壓發(fā)生器、差分放大器、史密特觸發(fā)器,溫度補償電路和集電極開路的輸出級組成的磁敏傳感電路,其輸入為磁感應(yīng)強(qiáng)度,輸出是一個數(shù)字電壓信號。
HX44E 的測試特性
霍爾開關(guān)電路的輸出特性見圖1所示。在輸入端輸入電壓Vcc ,經(jīng)穩(wěn)壓器穩(wěn)壓后加在霍耳電勢發(fā)生器的兩端,根據(jù)霍耳效應(yīng)原理,當(dāng)霍耳片處在磁場中時,在垂直于磁場的方向通以電流,則與這二者相垂直的方向上將會產(chǎn)生霍耳電勢差VH輸出,該VH信號經(jīng)放大器放大后送至施密特觸發(fā)器整形,使其成為方波輸送到OC門輸出。當(dāng)施加的磁場達(dá)到工作點(即BOP)時,觸發(fā)器輸出高電壓(相對于地電位),使三極管導(dǎo)通,此時OC門輸出端輸出低電壓,通常稱這種狀態(tài)為開。當(dāng)施加的磁場達(dá)到釋放點(即BRP)時,觸發(fā)器輸出低電壓,三極管截止,使OC門輸出高電壓,這種狀態(tài)為關(guān)。
在外磁場的作用下,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度超過導(dǎo)通閾值Bop時,霍爾電路輸出管導(dǎo)通,輸出低電平。之后B再增加,仍保持導(dǎo)通態(tài)。若外加磁場的B值降低到BRP時,輸出管截止輸出高電平。我們稱Bop為工作點,BRP為釋放點,Bop- BRP=Bu稱為回差?;夭畹拇嬖谑归_關(guān)電路的抗干擾能力增強(qiáng)。這樣兩次電壓變換,使霍耳開關(guān)完成了一次開關(guān)動作。一般規(guī)定,當(dāng)外加磁場的南極(S極)接近霍爾電路外殼上打有標(biāo)志的一面時,作用到霍爾電路。上的磁場方向為正,北極接近標(biāo)志面時為負(fù)。
同類文章排行
- 傳感需求多變,MEMS器件集合體IMU如何應(yīng)對
- 美國允許三星、SK海力士和臺積電在中國
- 韓媒:韓國芯片對中國太依賴了
- GPU出貨速度下降驚人
- 談?wù)動⑻貭柺紫こ處烳urthy Renduchintala
- 談?wù)勌O果M1首席芯片設(shè)計師Jeff Wilcox
- 談?wù)凙MD Zen首席架構(gòu)師Mike Clark
- 談?wù)剛髡f級芯片設(shè)計師Jim Keller
- 芯片內(nèi)部是如何互聯(lián)的
- 臺積電美國廠舉行移機(jī)典禮
最新資訊文章
- 傳感需求多變,MEMS器件集合體IMU如何應(yīng)對
- 美國允許三星、SK海力士和臺積電在中國
- 韓媒:韓國芯片對中國太依賴了
- GPU出貨速度下降驚人
- 談?wù)動⑻貭柺紫こ處烳urthy Renduchintala
- 談?wù)勌O果M1首席芯片設(shè)計師Jeff Wilcox
- 談?wù)凙MD Zen首席架構(gòu)師Mike Clark
- 談?wù)剛髡f級芯片設(shè)計師Jim Keller
- 芯片內(nèi)部是如何互聯(lián)的
- 臺積電美國廠舉行移機(jī)典禮
- 芯片技術(shù)愈加復(fù)雜,成本越來越高
- 高通第二代驍龍8:AI蓄力,點燃5G
- 半導(dǎo)體逆風(fēng),臺積電卻毫發(fā)無損
- 華邦電子:中科廠減產(chǎn)逾3成