霍爾開關(guān)在實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具系統(tǒng)中的應(yīng)用
在近幾年部隊(duì)又恢復(fù)了刺殺訓(xùn)練,但是該訓(xùn)練的危險(xiǎn)程度大,需要必要的防護(hù)器具,合理的使用訓(xùn)練設(shè)施、設(shè)備可以有效的提高實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練效果,提高訓(xùn)練質(zhì)量。
為了方便在刺殺訓(xùn)練時(shí)記錄訓(xùn)練結(jié)果,但是現(xiàn)有的實(shí)訓(xùn)護(hù)具只有簡(jiǎn)單的防護(hù)功能,記錄訓(xùn)練結(jié)果,例如刺殺部位和攻擊次數(shù)等,以上數(shù)據(jù)只有通過(guò)人工記錄,但是在實(shí)際實(shí)訓(xùn)過(guò)程中由于攻擊速度快、防護(hù)器具遮蔽等問(wèn)題導(dǎo)致人工記錄會(huì)出現(xiàn)大量誤差,會(huì)影響訓(xùn)練時(shí)的考核結(jié)果等,特別是在舉辦比賽或是教學(xué)評(píng)估,需要準(zhǔn)確的成績(jī)時(shí),非常不方便,記錄結(jié)果的差異會(huì)產(chǎn)生較大的影響,所以需要一套能夠解決以上問(wèn)題的實(shí)訓(xùn)護(hù)具及考核評(píng)估系統(tǒng)。在刺殺訓(xùn)練護(hù)具這個(gè)針對(duì)性較強(qiáng)的項(xiàng)目中,尤其要注意該護(hù)具的耐久度、記錄方式的合理化等問(wèn)題,攻擊部位的定位以及攻擊次數(shù)的數(shù)據(jù)均要準(zhǔn)確無(wú)誤。
用于實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具的接觸檢測(cè)系統(tǒng),包括霍爾傳感矩陣、接觸器以及檢測(cè)模組,由若干霍爾開關(guān)均勻排列在柔性材料上組成霍爾矩陣,接觸器能夠產(chǎn)生磁場(chǎng)信號(hào),該接觸器設(shè)置在訓(xùn)練槍的頭部,霍爾矩陣設(shè)置在實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具被測(cè)區(qū)域的夾層中,且霍爾矩陣完全覆蓋整個(gè)被測(cè)區(qū)域,檢測(cè)模組安裝在實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具上,并且與霍爾矩陣連接;霍爾傳感矩陣用于采集接觸器產(chǎn)生的磁場(chǎng)信號(hào),并將磁場(chǎng)信號(hào)發(fā)送至檢測(cè)模組檢測(cè)。當(dāng)訓(xùn)練槍的頭部擊中實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具被測(cè)區(qū)域的某一點(diǎn)時(shí),該點(diǎn)對(duì)應(yīng)位置的霍爾開關(guān)會(huì)對(duì)接觸器產(chǎn)生的磁場(chǎng)信號(hào)進(jìn)行采集,并將霍爾開關(guān)采集的磁場(chǎng)信號(hào)發(fā)送至后臺(tái)硬件進(jìn)行分析。
通過(guò)采用霍爾開關(guān)作為傳感器來(lái)檢測(cè)設(shè)置有產(chǎn)生磁場(chǎng)信號(hào)的訓(xùn)練槍,從而實(shí)現(xiàn)在訓(xùn)練時(shí)記錄攻擊位置以及攻擊次數(shù),用于實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具的接觸檢測(cè)系統(tǒng),將霍爾開關(guān)矩陣放置在實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具的內(nèi)部,防止直接接觸,并且可以通過(guò)均勻排列的霍爾開關(guān)來(lái)檢測(cè)攻擊的位置,當(dāng)接觸器接近霍爾矩陣時(shí),其中距離最近的霍爾會(huì)采集到最為清晰的磁場(chǎng)信號(hào),而該霍爾開關(guān)周圍的其他霍爾所采集的磁場(chǎng)信號(hào)會(huì)依次減弱,從而定位攻擊的位置,這種方式使用壽命長(zhǎng),成本也大大降低;并且就算某一塊霍爾矩陣發(fā)生失靈或損壞,只需將該霍爾矩陣取出更換即可。
為了方便在刺殺訓(xùn)練時(shí)記錄訓(xùn)練結(jié)果,但是現(xiàn)有的實(shí)訓(xùn)護(hù)具只有簡(jiǎn)單的防護(hù)功能,記錄訓(xùn)練結(jié)果,例如刺殺部位和攻擊次數(shù)等,以上數(shù)據(jù)只有通過(guò)人工記錄,但是在實(shí)際實(shí)訓(xùn)過(guò)程中由于攻擊速度快、防護(hù)器具遮蔽等問(wèn)題導(dǎo)致人工記錄會(huì)出現(xiàn)大量誤差,會(huì)影響訓(xùn)練時(shí)的考核結(jié)果等,特別是在舉辦比賽或是教學(xué)評(píng)估,需要準(zhǔn)確的成績(jī)時(shí),非常不方便,記錄結(jié)果的差異會(huì)產(chǎn)生較大的影響,所以需要一套能夠解決以上問(wèn)題的實(shí)訓(xùn)護(hù)具及考核評(píng)估系統(tǒng)。在刺殺訓(xùn)練護(hù)具這個(gè)針對(duì)性較強(qiáng)的項(xiàng)目中,尤其要注意該護(hù)具的耐久度、記錄方式的合理化等問(wèn)題,攻擊部位的定位以及攻擊次數(shù)的數(shù)據(jù)均要準(zhǔn)確無(wú)誤。
用于實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具的接觸檢測(cè)系統(tǒng),包括霍爾傳感矩陣、接觸器以及檢測(cè)模組,由若干霍爾開關(guān)均勻排列在柔性材料上組成霍爾矩陣,接觸器能夠產(chǎn)生磁場(chǎng)信號(hào),該接觸器設(shè)置在訓(xùn)練槍的頭部,霍爾矩陣設(shè)置在實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具被測(cè)區(qū)域的夾層中,且霍爾矩陣完全覆蓋整個(gè)被測(cè)區(qū)域,檢測(cè)模組安裝在實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具上,并且與霍爾矩陣連接;霍爾傳感矩陣用于采集接觸器產(chǎn)生的磁場(chǎng)信號(hào),并將磁場(chǎng)信號(hào)發(fā)送至檢測(cè)模組檢測(cè)。當(dāng)訓(xùn)練槍的頭部擊中實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具被測(cè)區(qū)域的某一點(diǎn)時(shí),該點(diǎn)對(duì)應(yīng)位置的霍爾開關(guān)會(huì)對(duì)接觸器產(chǎn)生的磁場(chǎng)信號(hào)進(jìn)行采集,并將霍爾開關(guān)采集的磁場(chǎng)信號(hào)發(fā)送至后臺(tái)硬件進(jìn)行分析。
通過(guò)采用霍爾開關(guān)作為傳感器來(lái)檢測(cè)設(shè)置有產(chǎn)生磁場(chǎng)信號(hào)的訓(xùn)練槍,從而實(shí)現(xiàn)在訓(xùn)練時(shí)記錄攻擊位置以及攻擊次數(shù),用于實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具的接觸檢測(cè)系統(tǒng),將霍爾開關(guān)矩陣放置在實(shí)戰(zhàn)訓(xùn)練護(hù)具的內(nèi)部,防止直接接觸,并且可以通過(guò)均勻排列的霍爾開關(guān)來(lái)檢測(cè)攻擊的位置,當(dāng)接觸器接近霍爾矩陣時(shí),其中距離最近的霍爾會(huì)采集到最為清晰的磁場(chǎng)信號(hào),而該霍爾開關(guān)周圍的其他霍爾所采集的磁場(chǎng)信號(hào)會(huì)依次減弱,從而定位攻擊的位置,這種方式使用壽命長(zhǎng),成本也大大降低;并且就算某一塊霍爾矩陣發(fā)生失靈或損壞,只需將該霍爾矩陣取出更換即可。
同類文章排行
- 傳感需求多變,MEMS器件集合體IMU如何應(yīng)對(duì)
- 美國(guó)允許三星、SK海力士和臺(tái)積電在中國(guó)
- 韓媒:韓國(guó)芯片對(duì)中國(guó)太依賴了
- GPU出貨速度下降驚人
- 談?wù)動(dòng)⑻貭柺紫こ處烳urthy Renduchintala
- 談?wù)勌O果M1首席芯片設(shè)計(jì)師Jeff Wilcox
- 談?wù)凙MD Zen首席架構(gòu)師Mike Clark
- 談?wù)剛髡f(shuō)級(jí)芯片設(shè)計(jì)師Jim Keller
- 芯片內(nèi)部是如何互聯(lián)的
- 臺(tái)積電美國(guó)廠舉行移機(jī)典禮
最新資訊文章
- 傳感需求多變,MEMS器件集合體IMU如何應(yīng)對(duì)
- 美國(guó)允許三星、SK海力士和臺(tái)積電在中國(guó)
- 韓媒:韓國(guó)芯片對(duì)中國(guó)太依賴了
- GPU出貨速度下降驚人
- 談?wù)動(dòng)⑻貭柺紫こ處烳urthy Renduchintala
- 談?wù)勌O果M1首席芯片設(shè)計(jì)師Jeff Wilcox
- 談?wù)凙MD Zen首席架構(gòu)師Mike Clark
- 談?wù)剛髡f(shuō)級(jí)芯片設(shè)計(jì)師Jim Keller
- 芯片內(nèi)部是如何互聯(lián)的
- 臺(tái)積電美國(guó)廠舉行移機(jī)典禮
- 芯片技術(shù)愈加復(fù)雜,成本越來(lái)越高
- 高通第二代驍龍8:AI蓄力,點(diǎn)燃5G
- 半導(dǎo)體逆風(fēng),臺(tái)積電卻毫發(fā)無(wú)損
- 華邦電子:中科廠減產(chǎn)逾3成